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如何设计IGBT驱动电路?

        小功率IGBT可以用各式各样的驱动芯片,带保护功能的,基本上来说没有特殊要求的话,都能够满足需求,配一个合适的G极驱动电阻,以及防止静电电荷等引起开关管误通的DS并联电阻。然后了解一下驱动芯片的驱动信号输出级,一般推挽输出,为了加速MOS的关断可以给驱动电阻反并联一个二极管,二极管一般根据你的开关频率选择,反向恢复时间注意一下就好。大功率情况下的话,有驱动模块,这是最简便的方法。还有用于驱动的变压器,X宝上面貌似就现成的产品,根据需要的驱动功率选择即可。这里面的话,如果驱动部分驱动功率过小,米勒效应就会比较明显,一旦出现基本上选用驱动功率足够的驱动即可解决。

        驱动的设计也并非易事。首先,根据开关频率,以及管子的Qg大小,选择合适的驱动电流, 初学者以为MOSFET是电压驱动的,不需要电流,其实想要快速导通,是需要大电流的。 当然,频率越高,Qg越大,你所需要的驱动电流就越大。还有根据你管子的导通关断延时的差异性,选择合适的死区时间,有些驱动芯片死区是固定的,有些是可以根据需要自己调整。还有就是芯片自身也有频率限制,倘若频率太高,也要选择相应的高频驱动芯片。如果需要隔离,你还要选择隔离驱动,有光耦隔离,变压器隔离,高频有RF隔离。倘若不需要隔离,根据你的拓扑。若是低端驱动就很简单了。倘若是半桥,你可以根据需要选择浮栅驱动,但是一定要注意自举二极管的耐压,以及速度。浮栅驱动的第一个占空比都是会丢失的,有时候对控制会带来影响。还有为了防止在驱动的时候G级波形的震荡,你还要加适当的Rg,这个电阻通常是要选择功率电阻,有时候得用三极管和二极管搭放电回路。为了防止影响开关的速度,你还不可以把Rg选得太大,还有布线的时候尽量让G级靠近驱动芯片,减小布线带来的引线电感,对减小震荡有帮助。频率高的时候还要注意你的驱动散热,不要让芯片温度太高了,会影响性能。